快科技12月15日动静，IEDM 2024大会上，台积电初次披露了N2 2nm工艺的环节手艺细节和机能目标：对比3nm，晶体管密度添加15％，划一功耗下机能提拔15％，划一机能下功耗降低24-35％。新工艺还添加了NanoFlex DTCO(设想手艺结合优化)，能够开辟面积最小化、能效加强的更矮单位，或者机能最大化的更高单位。此外还有第三代偶极子集成，包罗N型、P型，从而支撑六个电压阈值档(6-Vt)，范畴200mV。新工艺的纳米片晶体管能够正在0。5-0。6V的低电压下，获得显著的能效提拔，能够将频次提拔大约20％，待机功耗降低大约75％。此外，台积电2nm还使用了全新的MOL中段工艺、BEOL后段工艺，电阻降低20％，能效更高。值得一提的是，第一层金属层(M1)现正在只需一步蚀刻(1P1E)、一次EVU即可完成，大大降低了复杂度、光罩数量。针对高机能计较使用，台积电2nm还引入了超高机能的SHP-MiM电容，容量大约每平方毫米200fF，能够获得更高的运转频次。28nm工艺以来，历经六代工艺改良，单元面积的能效比曾经提拔了跨越140倍！